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电容的选择。选择旁路电容和去耦电容时，并非取决于电容值和大小，而是电容的自 谐振频率，并与所需旁路式去耦的频率相匹配。在自谐振频率以下电容表现为容性，在自 谐振频率以上电容变为感性，这将会减小 RF 去耦功能。电容器的额定电压一般是指直流电压，若要用于交流电路，应根据电容器的特性及规格选用。再看看常用的两种瓷片电容的自谐 振频率。

综上可得，使用去耦电容重要的一点就是电容的引线电感。表贴电容比插件电容高 频时有很好的效能，就是因为它的引线电感很低。

并联电容。若有些电路中滤波效果不好，可以采用并联电容的方式来增加滤波效果， 但不是随意的增加并联的个数或随意放置几个电容，这样只会浪费材料。

滤波。滤波是将信号中特定波段频率滤除的操作，是抑制和防止干扰的一项重要

措施，通俗点讲就是将想要的留下，不想要的统统干掉。

电容器的主要参数,是很好的资料~

电容器的主要参数有标称电容量和容差、额定电压、绝缘电阻、损耗率，这些参数主要由电容器中的电介质决定。电容器产品标出的电容量值。损耗率电容器的损耗率是电容器一周期内转化成热能的能量与它的平均储能的比率，通常用百分数表示。云母和陶瓷介质电容器的电容量较低(大约在5000pF以下);纸、塑料和一些陶瓷介质形式的电容器居中(大约在0.005μF ~1.0μF);通常电解电容器的容量较大。

1、标称电容量和容差

　　标称电容量是标在电容器上的电容量。

　　电容器实际电容量与标称电容量的偏差称容差。某一个电容器上标有220nJ，表示这个电容器的标称电容量为220nF，实际电容量应220nF±5%之内，此处J表示容量误差为±5%。若J改为K，表示误差为±10%;改为M表示误差为±20%。

其实，高速系统中所有的实际接收1器都会有门输入电容，一般约为2pF。对于特性阻抗为50欧姆时，接收1器的RC上升时间大约为2.2*50*2=0.2ns。当Tr=1ns时，这个附加的0.2ns延迟几乎无法辨认，也就不重要了；在低频的耦合及去耦电路中，一般对电容器的电容量要求不太严格，只要按计算值选取稍大一些的电容量便可以了。但是如果当Tr=0.1ns时，那么0.2ns的时延就make a difference!

高速系统设计中一个“时髦”的术语就是串扰，它是一个信号干扰另一个信号引起的噪声，这主要是由相邻信号的容性耦合而引起的，原因是一个信号的变化会向邻近信号注入电荷从而干扰它们的电压。

高频领域中的电容器

一般情况下，我们接触的多是中、低频的电容器设计应用，正如我们从初中开始学习电容器时也是赫兹数不是很高一样。但是，往往当进入到了高频率的领域时，我们面对的就不仅仅是肉眼所能看到的电容器了，更多的是那些我们根本无法直接察觉到的电容效应。加在一个电容器的两端的电压超过了它的额定电压，电容器就会被击穿损坏。在这里我把从图书馆看到的和自己想到的关于高频领域中的电容器应用知识一一写下来，以求对此有个比较系统一点的认识。

实际上，电容不仅仅只存在于电容器内部，只要两个不同电位的表面相互靠近时就会产生电场，即存在电容效应，其作用就相当于一个电容器。这种无意间所形成的电容器给它一个名字就是寄生电容，它会造成电路中电流的中断。一般应每三个月对电容器组的外表面、套管表面及周围铁架上的灰尘清扫干净。由于这种电容往往与电路并联，则频率较高时，它将起到旁路信号的作用，即降低了信号的功率，从这个意义上来讲，可以说是无形中构成了一个LPF。